ПРОГРАММА
12-ой Международной научно-практической конференции
по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ- электроники
«МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ»
19 мая 2021 года |
||
| 9:00 - 10:00 | РЕГИСТРАЦИЯ И КОФЕ – БРЕЙК | |
| ПЛЕНАРНАЯ СЕССИЯ, актовый зал (3 этаж главного корпуса) | ||
|---|---|---|
| 10:00-10:20 | Стриханов Михаил Николаевич |
Открытие конференции. Торжественное вручение дипломов Стипендиатам Фонда имени члена-корреспондента РАН, профессора В.Г. Мокерова |
| 10:20-10:50 | Каргин Николай Иванович |
Результаты исследований и планы развития Института нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике НИЯУ МИФИ |
| 10:50-11:20 | Горбацевич Александр Алексеевич |
Нанотранзисторы: от гетероструктур к гетеромолекулам |
| 11:20-11:50 | Гамкрелидзе Сергей Анатольевич |
Разработки ИСВЧПЭ РАН по созданию бескорпусных монолитных интегральных схем Х-диапазона |
| 11:50-12:20 | Соколовский Григорий Семенович |
Мощные квантово-каскадные лазеры среднего инфракрасного диапазона |
| 12:20-12:50 | Вакс Владимир Лейбович |
Спектроскопия высокого разрешения терагерцового частотного диапазона |
| 12:50-13:30 | ПЕРЕРЫВ | |
| 13:30-16:30 | Заседание секций – Виртуальные залы 1, 2 и 3, актовый зал (3 этаж главного корпуса) | |
ВИРТУАЛЬНЫЙ ЗАЛ №1 Секции: Фундаментальные аспекты наногетероструктурной СВЧ-электроники. Структурные свойства и нанометрология наносистем и гетероструктур. Гетероструктуры и сверхрешетки, двумерные, одномерные и нульмерные структуры. Председатели секции: А.Н. Виниченко, А.Н. Клочков. |
| 13:30-13:45 | Пашковский Андрей Борисович |
Дополнительные потенциальные барьеры в псевдоморфных гетероструктурах с двухсторонним донорно – акцепторным легированием |
| 13:45-14:00 | Протасов Дмитрий Юрьевич |
Влияние верхних боковых долин в гетероструктурах AlGaAs/InGaAs/GaAs на транспорт электронов в слабом электрическом поле |
| 14:00-14:15 | Веденеев Александр Александрович |
Морфология барьерного слоя AlGaAs/InGaAs/GaAs pHEMT-структур |
| 14:15-14:30 | Суханов Максим Андреевич |
AlSb/InAs гетероструктуры для СВЧ транзисторов |
| 14:30-14:45 | Гудина Светлана Викторовна |
Крупномасштабный примесный потенциал в структурах InGaAs/InAlAs: квантовый эффект Холла |
| 14:45-15:00 | Сафонов Данил Андреевич |
Фотопроводимость в PHEMT квантовых ямах AlGaAs/InGaAs/GaAs при различных температурах |
| 15:00-15:15 | Богданов Евгений Владимирович |
Фотопроводимость в гетероструктуре p-AlGaAs/GaAs/AlGaAs при низких температурах |
| 15:15-15:30 | Клочков Алексей Николаевич |
Калибровка скоростей роста бинарных соединений AlAs и GaAs в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии |
| 15:30-15:45 | Торхов Николай Анатольевич |
Механические и электрофизические свойства химического оксида арсенида галлия |
| 15:45-16:00 | Дмитриев Дмитрий Владимирович |
Замещение фосфора на поверхности InP(001) при отжиге в потоке мышьяка |
| 16:00-16:15 | Василькова Елена Игоревна |
Влияние высокотемпературного термического отжига на интердиффузию в структурах с (Al)GaAs/InGaAs квантовыми ямами |
| 16:15-16:30 | Бутаев Марат Раджабали Оглы |
Исследование наноразмерной гетероструктуры второго типа CdS/ZnSe, выращенной методом ГФЭ МОС |
ВИРТУАЛЬНЫЙ ЗАЛ №2 Полупроводниковые приборы и устройства: производство, технологии и свойства. Функциональная электроника и перспективные материалы. Председатели секции: А.Ю. Павлов, И.С. Васильевский. |
| 13:30-13:45 | Щаврук Николай Васильевич |
Применение тонких пленок оксида алюминия в технологическом процессе изготовления МИС СВЧ |
| 13:45-14:00 | Девицкий Олег Васильевич |
Импульсное лазерное напыление InGaAsP на GaAs и Si |
| 14:00-14:15 | Торхов Николай Анатольевич |
Физические механизмы функционирования низкотемпературных AuNi/n+-Si омических контактов |
| 14:15-14:30 | Курбанова Наталья Евгеньевна |
Электрофизическое моделирование GaN HEMT СВЧ диапазона |
| 14:30-14:45 | Пашковский Андрей Борисович |
Оценка всплеска дрейфовой скорости электронов в транзисторных гетероструктурах на основе GaN и GaAs |
| 14:45-15:00 | Варфаламеева Светлана Вячеславовна |
Приборное моделирование полевых транзисторов на основе AlN/GaN |
| 15:00-15:15 | Борисенко Денис Петрович |
Исследование III-нитридов на графене с использованием IN SITU метода ДБЭ |
| 15:15-15:30 | Султанов Азрет Оюсович |
Исследование релаксации механических напряжений в гетероструктурах 3C-SiC/Si |
| 15:30-15:45 | Салказанов Александр Тотразович |
Исследование изотопного состава гомоэпитаксиальных алмазных слоев |
| 15:45-16:00 | Ревин Евгений Александрович |
Нанесение многослойных покрытий на псевдосплав SiC-Al |
| 16:00-16:15 | Леонтьев Николай Александрович |
Технология подготовки и нанесения гальванического покрытия на композитные материалы с повышенными теплофизическими свойствами для производства деталей СВЧ |
| 16:15-16:30 | Анохин Егор Витальевич |
Конструктивно-технологические особенности разработки микросхемы «Разветвитель тактового сигнала» с использованием технологии 180 нм |
ВИРТУАЛЬНЫЙ ЗАЛ №3 Терагерцовая электроника и фотоника. Оптоэлектроника и радиофотоника. Председатели секции: Д.С. Пономарев, Р.А. Хабибуллин. |
| 13:30-13:45 | Ушаков Дмитрий Владимирович |
Моделирование ТГц квантово-каскадных лазеров с распределённой обратной связью |
| 13:45-14:00 | Хабибуллин Рустам Анварович |
Двухсекционные квантово-каскадные лазеры терагерцового диапазона |
| 14:00-14:15 | Пушкарев Сергей Сергеевич |
Динамика МОД квантово-каскадного лазера при изменении длительности импульсов тока накачки |
| 14:15-14:30 | Афоненко Александр Анатольевич |
Моделирование вольт-амперных характеристик квантово-каскадных лазеров на основе сверхрешеток с лестницами Ванье–Штарка |
| 14:30-14:45 | Пономарев Дмитрий Сергеевич |
Фотопроводящий детектор терагерцового излучения на основе упруго-напряженной сверхрешеточной гетероструктуры |
| 14:45-15:00 | Васильевский Иван Сергеевич |
Особенности технологии электронной литографии для фотонных интегральных схем |
| 15:00-15:15 | Сибирмовский Юрий Дмитриевич |
Влияние экранирования на экситонное поглощение в полупроводниковых гетероструктурах |
| 15:15-15:30 | Гришаков Константин Сергеевич |
Численные расчеты спектров поглощения сверхрешеток |
| 15:30-15:45 | Гуляев Дмитрий Владимирович |
Гетероструктуры InGaAlAs/InAlAs/InP для электрооптического модулятора |
| 15:45-16:00 | Светогоров Владимир Николаевич |
Активная область AlGaInAs/InP с компенсацией упругих напряжений в лазерных диодах для радиофотонных применений |
| 16:00-16:15 | Лазарук Сергей Константинович |
Формирование наноструктурированных антиотражающих покрытий на титановых элементах оптических устройств |
| 16:15-16:30 | Глинский Игорь Андреевич |
Экспериментальная демонстрация формирования искривленных плазмонных пучков на основе асимметричных диэлектрических микроструктур |
20 мая 2021 года |
||
| 9:00 - 10:00 | РЕГИСТРАЦИЯ И КОФЕ – БРЕЙК | |
| ПЛЕНАРНАЯ СЕССИЯ, актовый зал (3 этаж главного корпуса) | ||
|---|---|---|
| 10:00-10:30 | Зыков Дмитрий Дмитриевич |
Результаты коллаборации: разработка базового технологического процесса 0.15 мкм GaAs pHEMT, библиотеки элементов и тестовых МШУ X-диапазона |
| 10:30-11:00 | Великовский Леонид Эдуардович |
Технологии СВЧ транзисторов на основе нитрида галлия |
| 11:00-11:30 | Соболев Александр Сергеевич |
Планарные матрицы болометров на холодных электронах, как частотно селективные поверхности |
| 11:30-12:00 | Аверьянов Дмитрий Валерьевич |
Эпитаксиальная интеграция EuO с германием для элементов спинтроники |
| 12:00-13:00 | ПЕРЕРЫВ | |
| 13:00-16:00 | Заседание секций – Виртуальные залы 1, 2 и 3, конференц-зал (3 этаж главного корпуса) | |
ВИРТУАЛЬНЫЙ ЗАЛ №1 Секции: Фундаментальные аспекты наногетероструктурной СВЧ-электроники. Структурные свойства и нанометрология наносистем и гетероструктур. Гетероструктуры и сверхрешетки, двумерные, одномерные и нульмерные структуры. Председатели секции: А.Н. Виниченко, А.Н. Клочков. |
| 13:00-13:15 | Гудина Светлана Викторовна |
Квантовая яма HgTe с инвертированной зонной структурой: фазовый анализ квантовых осцилляций сопротивления |
| 13:15-13:30 | Васильченко Александр Анатольевич |
Электронно-дырочная жидкость в квантовых проволоках |
| 13:30-13:45 | Борисова Марина Кирилловна |
Структура, электронные и энергетические характеристики нитрид-борных нанотрубок |
| 13:45-14:00 | Мансуров Владимир Геннадьевич |
Образование новой графеноподобной модификации нитрида кремния (g-Si3N3) на поверхности Si(111) |
| 14:00-14:15 | Малин Тимур Валерьевич |
Эволюция поверхностных состояний в процессе in situ формирования слоя SiN на поверхности гетероструктуры AlN/GaN |
| 14:15-14:30 | Головач Александр Александрович |
Влияние естественного оксида кремния на формирование барьера Шоттки в гетеропереходе графен/Si |
| 14:30-14:45 | Дронина Елизавета Андреевна |
Исследование методом комбинационного рассеяния света структуры графена, синтезированного с помощью химического осаждения из газовой фазы, на текстурированном медном катализаторе с ориентацией <001> И <011> |
| 14:45-15:00 | Прищепа Сергей Леонидович |
Дальнодействующее косвенное обменное взаимодействие в многостенных углеродных нанотрубках |
| 15:00-15:15 | Шарков Андрей Иванович |
Когерентные упругие импульсы гиперзвуковых частот в алмазе с встроенными графитизированными слоями |
| 15:15-15:30 | Лебедев Александр Иванович |
Неизвестные колебательные моды в полупроводниковых сверхрешетках |
| 15:30-15:45 | Меринов Валерий Борисович |
Энергетические и электронные характеристики ковалентно связанных азотных димеров |
| 15:45-16:00 | Гимальдинова Маргарита Александровна |
Электронные и энергетические характеристики германийсодержащих каркасов CL-20 |
ВИРТУАЛЬНЫЙ ЗАЛ №2 Полупроводниковые приборы и устройства: производство, технологии и свойства. Функциональная электроника и перспективные материалы. Председатели секции: А.Ю. Павлов, И.С. Васильевский. |
| 13:00-13:15 | Соколов Иван Сергеевич |
Конкурирующие магнитные состояния в бислое графен/Eu |
| 13:15-13:30 | Аверьянов Дмитрий Валерьевич |
Двумерный ферромагнетизм поверхностных фаз Eu на кремнии |
| 13:30-13:45 | Хорошко Людмила Сергеевна |
Обменная связь в неодим-железном перовските |
| 13:45-14:00 | Кушнир Василий Николаевич |
Верхнее критическое неоднородное магнитное поле тонкой сверхпроводящей пленки |
| 14:00-14:15 | Салем Махмуд Али |
Теоретическое исследование декорированных литием молекул призмана для селективной адсорбции CO2 |
| 14:15-14:30 | Горох Геннадий Георгиевич |
Ионное цикличное осаждение SnxWyOz на наноструктурированный анодный TiO2 |
| 14:30-14:45 | Случинская Ирина Александровна |
Исследование структуры примесных центров Mn В BaxSr1-xTiO3 с помощью XAFS-спектроскопии и расчетов из первых принципов |
| 14:45-15:00 | Баглов Алексей Викторович |
Электронная структура орторомбического ZnSiN2 |
| 15:00-15:15 | Никеров Дмитрий Викторович |
Измерение подвижности в тонких пленках неупорядоченных неорганических полупроводников методом ВПМ: ограничения из-за диффузии |
| 15:15-15:30 | Зенченко Николай Владимирович |
Моделирование процесса работы биполярного мемристора на основе оксида гафния |
| 15:30-15:45 | Рубан Олег Альбертович |
Температурно-частотные исследования мемристоров на основе селенида германия |
| 15:45-16:00 | Баглов Алексей Викторович |
Электронная структура поверхности брукита |
ВИРТУАЛЬНЫЙ ЗАЛ №3 Терагерцовая электроника и фотоника. Оптоэлектроника и радиофотоника. Председатели секции: Д.С. Пономарев, Р.А. Хабибуллин. |
| 13:00-13:15 | Родионов Данил Александрович |
Плазменные резонансы в диске с 2D электронным газом |
| 13:15-13:30 | Заболотных Андрей Александрович |
Циклотронный резонанс в экранированной двумерной электронной системе |
| 13:30-13:45 | Зенченко Николай Владимирович |
Фокусирующие элементы на основе профилированного сапфира для усиления генерации терагерцового излучения |
| 13:45-14:00 | Олещенко Владислав Александрович |
Моделирование новой конструкции двумерной матрицы лазерных диодов с прямым конвективным охлаждением потоком теплоносителя |
| 14:00-14:15 | Номоев Сергей Андреевич |
Рентгенодифракционный анализ структур LT- GaAs для генерации ТГц излучения в зависимости от температуры роста и отжига |
| 14:15-14:30 | Васильевский Иван Сергеевич |
Особенности электронно-лучевой нанолитографии в технологии интегральной фотоники |
| 14:30-14:45 | Гвоздовский Дмитрий Чеславович |
Исследование механизмов возникновения плазмонных колебаний в структуре «графен/SiO2» |
| 14:45-15:00 | Карузский Александр Львович |
Эффекты резонансного пикового тока и слабого тока в долине вольтамперной характеристики в процессах самовозбуждения и усиления в терагерцовых РТД структурах на основе GaAs/AlAs |