ПРОГРАММА

Юбилейной 10-ой Международной научно-практической конференции

«МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ»

15 мая 2019 года

9:00 - 9:45 РЕГИСТРАЦИЯ, КОФЕ – БРЕЙК
ПЛЕНАРНАЯ СЕССИЯ, актовый зал (3 этаж главного корпуса).
10:00-10:20 Стриханов Михаил Николаевич Открытие конференции. Торжественное вручение дипломов Стипендиатам Фонда имени члена-корреспондента РАН, профессора В.Г. Мокерова
10:20-10:40 Каргин Николай Иванович Результаты исследований и планы развития Института нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике НИЯУ МИФИ
10:40-11:05 Лабунов Владимир Архипович Современные тенденции развития микро- и наноэлектроники
11:05-11:30 Иванов Сергей Викторович Полупроводниковая оптоэлектроника в ФТИ им. А.Ф. Иоффе в XX и XXI веке
11:30-11:55 Жуков Алексей Евгеньевич Микролазеры с квантовыми точками на Si и GaAs подложках для оптической передачи данных
11:55-12:20 Красовицкий Дмитрий Михайлович Физико-технологические аспекты построения foundry производства СВЧ ЭКБ: опыт АО "Светлана-Рост"
12:20-12:45 Великовский Леонид Эдуардович Разработки и исследования СВЧ транзисторов на основе AlGaN/GaN и InAlN/GaN гетероструктур
12:45-13:10 Зайцев Кирилл Игоревич Терагерцовые технологии в биофотонике
13:10-14:00 ОБЕД
14:00-15:00 Постерная сессия.

Постеры доступны с 10-00 до 19-00 в научном читальном зале (2 этаж).

Присутствие докладчиков с 14-00 до 15-00.

   

АУДИТОРИЯ Г - 404

Фундаментальные аспекты наногетероструктурной СВЧ-электроники.

Структурные свойства и нанометрология наносистем и гетероструктур.

Председатели секции: С.С. Пушкарев, А.Н. Виниченко.

15:00-15:15 Гудина Светлана Викторовна Активационная проводимость в режиме квантового эффекта Холла в квантовых ямах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs
15:15-15:30 Заболотных Андрей Александрович Плазмоны в 2D электронной системе с затвором в виде полосы
15:30-15:45 Торхов Николай Анатольевич Перенос квантово-механического состояния системы в эффектах туннелирования
15:45-16:00 Загороднев Игорь Витальевич Возбуждение магнитоплазмонов в неограниченном двумерном электронном газе электромагнитным излучением
16:00-16:15 Казаков Антон Алексеевич Квантовые поправки и магнитотранспорт в 3D дираковском полуметалле Cd3-xMnxAs2
16:15-16:30 КОФЕ – БРЕЙК
16:30-16:45 Протасов Дмитрий Юрьевич Влияние конструкции и уровня легирования гетероструктур PHEMT на свойства ключевых транзисторов
16:45-17:00 Сафонов Данил Андреевич Температурные зависимости подвижности электронов в PHEMT гетероструктурах с составным спейсерным слоем, содержащим нанослои AlAs
17:00-17:15 Пащенко Александр Сергеевич Висмутсодержащие тонкие пленки изопериодные бинарным подложкам AIIIBV
17:15-17:30 Строгова Александра Сергеевна Влияние легирования редкоземельными элементами и германием на структуру и свойства наноструктурированных пленок кремния
17:30-17:45 Середин Борис Михайлович Особенности определения концентрации легирующей примеси в термомиграционных каналах кремния
17:45-18:00 Султанов Азрет Оюсович Релаксация напряжений несоответствия в гетероструктурах 3C-SiC/Si
18:00-18:15 Доброхотов Петр Леонидович Развитие методики калибровки состава и толщины слоев AlGaAs эпитаксиальных гетероструктур с помощью метода высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии
   

АУДИТОРИЯ Г - 405

Полупроводниковые приборы и устройства: производство, технологии и свойства.

Председатели секции: А.Ю. Павлов, И.С. Васильевский.

15:00-15:15 Енишерлова Кира Львовна Деградация омических контактов AlGaN/GaN HEMT, связанная с морфологией поверхности
15:15-15:30 Захарченко Роман Викторович Физико-технологические особенности формирования омических контактов для полупроводниковых приборов на основе GaN
15:30-15:45 Васильев Павел Сергеевич Разработка технологии формирования сквозных отверстий в GaAs при помощи плазмохимического травления
15:45-16:00 Концевой Юлий Абрамович Методы контроля качества диэлектрических пленок
16:00-16:15 Смирнов Юрий Юрьевич Влияние пассивирующих свойств диэлектрических пленок на дрейф параметров арсенид-галлиевых МИС и транзисторов
16:15-16:30 КОФЕ – БРЕЙК
16:30-16:45 Павлов Александр Юрьевич Исследование полевых транзисторов на гетероструктурах AlGaN/AlN/GaN с подзатворным заглублением
16:45-17:00 Васильевский Иван Сергеевич Разработка малошумящих РНЕМТ и МНЕМТ 0,15 мкм транзисторов НИЯУ МИФИ
17:00-17:15 Горелов Андрей Алексеевич Проектирование двухкаскадного СВЧ усилителя мощности методом LOAD-PULL
17:15-17:30 Золотарев Алексей Алексеевич Повышение надежности СВЧ GaN устройств при применении металломатричного композита AlSiC
17:30-17:45 Чернодубов Даниил Андреевич Теплоперендоброхос в тонкопленочных структурах нитрида галлия
17:45-18:00 Плиговка Андрей Николаевич Формирование металлооксидных наносеток анодированием двухслойной системы Al/Nb
   

ПОСТЕРНАЯ СЕССИЯ

15 мая с 10:00 до 18:00 часов. 2 этаж главного корпуса (научный читальный зал) (присутствие авторов с 14-00 до 15-00).
1 Торхов Николай Анатольевич Размерные эффекты в электростатической системе плоских p+-n – кремниевых переходах
2 Иванова Яна Владимировна Численный расчет параметров резонансно-туннельных структур
3 Богданов Евгений Владимирович Влияние одноосного сжатия на двумерные электроны на гетерогранице n-GaAs/AlGaAs:Si
4 Васильченко Александр Анатольевич Высокотемпературная электронно-дырочная жидкость в пленках алмаза
5 Пушкарев Сергей Сергеевич Усиление «жёлтой» катодолюминесценции GaN-структуры под действием пучка низкоэнергетических электронов
6 Хорошко Людмила Сергеевна Исследование структуры замещенных иттрий-алюминиевых перовскитов
7 Бакун Алексей Дмитриевич Исследование особенностей обработки поверхности оптической стеклокерамики пучком кластерных ионов и ускоренных нейтральных атомов
8 Павлов Владимир Юрьевич Влияние нагрева на контактное сопротивление несплавных омических контактов к нитридным гетероструктурам
9 Федоров Дмитрий Геннадьевич Моделирование диодов Шоттки с ионно-легированными слоями на нитриде галлия
10 Желаннов Андрей Валерьевич Омические контакты с ионно-легированными подконтактными слоями к приборным структурам на основе нитрида галлия
11 Слаповский Дмитрий Николаевич Исследование характеристик HEMT AlGaN/GaN со сплавными омическими контактами на основе Si/Al
12 Волков Николай Викторович Разработка элементов МЭМС наноразмерного диапазона для СВЧ устройств с использованием FIB технологии
13 Каратеев Игорь Андреевич Структурные и магнитные свойства тонких пленок GdGe2
14 Арустамян Давид Арсенович Получение гетероструктур AlInGaPAs/InP для фотоприёмников ближнего ИК-диапазона
15 Гордеев Василий Петрович Перспективы применения алмазных и AlN теплоотводящих элементов в мощных оптоэлектронных приборах на основе гетероструктур A3B5
16 Гвоздовский Дмитрий Чеславович Взаимодействие графена с поверхностью нитрида кремния: квантово-механическое моделирование
17 Аврамчук Александр Васильевич Исследование влияния полимерного слоя на концентрацию носителей заряда в эпитаксиальном графене на карбиде кремния
18 Борисенко Денис Петрович Влияние буферного слоя AlN на эпитаксиальный рост GaN на графене
   

16 мая 2019 года

9:00 - 9:45 РЕГИСТРАЦИЯ, КОФЕ – БРЕЙК
ПЛЕНАРНАЯ СЕССИЯ, конференц-зал (3 этаж главного корпуса).
10:00-10:20 Коледов Виктор Викторович Трехмерное наноманипулирование с применением микроинструментов с эффектом памяти формы для технологии наногетероструктурной СВЧ электроники
10:20-10:40 Гареев Газинур Зиятдинович Терагерцовые телекоммуникации и квантовая криптография
10:40-11:00 Пономарев Дмитрий Сергеевич Генерация излучения терагерцовыми антеннами с высоко-аспектными плазмонными решетками
11:00-11:20 Петров Станислав Игоревич Использование высокотемпературной аммиачной МЛЭ для улучшения свойств нитридных HEMT гетероструктур
11:20-11:40 Егоркин Владимир Ильич Гетеробиполярные транзисторы на основе арсенида галлия и нормально-закрытые транзисторы на основе нитрида галлия, особенности изготовления и применения
11:40-12:00 Прищепа Сергей Леонидович Магнитная релаксация в нанокомпозитах на основе УНТ
12:00-12:20 Аверьянов Дмитрий Валерьевич Синтез и свойства сверхтонких слоев интеркалированного германена
12:20-12:40 Чубенко Евгений Борисович Синтез и люминесцентные свойства графитоподобного нитрида углерода и гетероструктур на его основе
12:40-13:00 Виниченко Александр Николаевич Эпитаксия и свойства метаморфных MHEMT гетероструктур с буферным слоем InAlAs и содержанием InAs в квантовой яме от 20 до 100%
13:00-14:00 ОБЕД
14:00-15:00 Постерная сессия. Постеры доступны с 10-00 до 19-00 в научном читальном зале (2 этаж). Присутствие докладчиков с 14-00 до 15-00.
15:00-18:00 Заседание секций – аудитории Г - 404, Г - 406 главного корпуса.
   

АУДИТОРИЯ Г - 404

Перспективные материалы. Полупроводниковые приборы и устройства:

производство, технологии и свойства.

Функциональная электроника и оптоэлектроника.

Председатели секции: С.Л. Прищепа, И.В. Комиссаров.

15:00-15:15 Баранова Мария Сергеевна Обменное магнитное взаимодействие в монослоях Cr2Ge2Te6 и Cr2Si2Te6
15:15-15:30 Соколов Иван Сергеевич Магнетизм интеркалированного графена и поверхностных фаз
15:30-15:45 Лебедев Александр Иванович Синтез и свойства коллоидных нанопластинок TiO2, легированных 3d элементами
15:45-16:00 Комиссаров Иван Владимирович Влияние глубокого измельчения пиролитического графита на кристаллическую структуру хлопьев и синтез из них оксида графена
16:00-16:15 Ковальчук Николай Георгиевич Формирование микроструктур из двухслойного графена на подложке SiO2/Si фемтосекундным лазером
16:15-16:30 КОФЕ – БРЕЙК
16:30-16:45 Баглов Алексей Викторович Зонная структура графитоподобного нитрида углерода
16:45-17:00 Лозовенко Андрей Александрович Особенности электрохимического формирования нанопроводов InSb в пористых матрицах с большим аспектным отношением
17:00-17:15 Зотов Артём Олегович Исследование электрических свойств сверхтонких пленок ZnO, полученных различными методами нанесения
17:15-17:30 Шарков Андрей Иванович Дифракционный режим распространения когерентных фононов гиперзвуковых частот в пластинах алмаза при комнатных температурах
17:30-17:45 Смирнова Марина Олеговна Формирование NV-центра в алмазе: молекулярно-динамическое моделирование с помощью неортогональной модели сильной связи
17:45-18:00 Литун Яна Борисовна Исследование характеристик графенового НЭМС-ключа на полуизолирующей подложке
18:00-18:15 Этрекова Майя Оразгельдыевна Вольт-фарадные характеристики и механизм чувствительности газовых сенсоров на основе МДП-структур
   

АУДИТОРИЯ Г – 406

Терагерцовая электроника и фотоника.

Председатели секции: Д.С. Пономарев, Р.А. Хабибуллин.

15:00-15:15 Хабибуллин Рустам Анварович Спектры излучения ТГЦ квантово-каскадных лазеров на основе резонансно-фононного дизайна
15:15-15:30 Клочков Алексей Николаевич Импульсные ТГЦ-излучения от поверхности эпитаксиальных структур на основе низкотемпературного GaAs (111)A
15:30-15:45 Лаврухин Денис Владимирович Управление спектром генерации терагерцовой фотопроводящей антенны с помощью частотно-зависимой модуляции импеданса
15:45-16:00 Карузский Александр Львович Эффекты процессов внутреннего усиления в терагерцовых резонансно-туннельных наноструктурах на основе GaAs/AlAs
16:00-16:15 Гергель Виктор Александрович Продвинутая модель расчета электрических характеристик мультибарьерных AlGaAs/GaAs структур сложной архитектуры
16:15-16:30 КОФЕ – БРЕЙК
16:30-16:45 Шкуринов Александр Павлович Нелинейное вращение плоскости поляризации элиптически поляризационного терагерцового излучения в жидком азоте
16:45-17:00 Воропаев Кирилл Олегович Формирование апертуры вертикально-излучающего лазера с длиной волны генерации 1550 нм
17:00-17:15 Васильевский Иван Сергеевич Разработка структур с МКЯ InAlGaAs на подложке InP для приложений интегральной радиофотоники, выращенных комбинированным способом MBE/MOCVD
17:15-17:30 Сибирмовский Юрий Дмитриевич Моделирование оптических свойств квантовых ям и сверхрешеток для электрооптических модуляторов
17:30-17:45 Бутаев Марат Раджабали Исследование полупроводникового дискового лазера на структуре InGaAs/GaAs при накачке электронным пучком
17:45-18:00 Лазарук Сергей Константинович Кремниевые лавинные светодиоды и оптические межсоединения на их основе
18:00-18:15 Лазарук Сергей Константинович Планарный алюмооксидный волновод для кремниевых оптических межсоединений
18:15-18:30 Асланян Артем Эдуардович Фотореверсивный ток в светодиодных гетероструктурах на основе InGaN/GaN зелёного свечения c разным количеством квантовых ям в активной области
   

ПОСТЕРНАЯ СЕССИЯ

16 мая с 10:00 до 18:00 часов. 2 этаж главного корпуса (научный читальный зал) (присутствие авторов с 14-00 до 15-00).
1 Прищепа Сергей Леонидович Каналирование триплетных пар в гетероструктурах сверхпроводник-ферромагнетик
2 Жуков Кирилл Владимирович Система акустического контроля прохождения поршня для автоматического контроля движения внутритрубного инспекционного снаряда
3 Глинский Игорь Андреевич Разработка технологии создания фотопроводящих антенн с пассивирующим диэлектриком
4 Васильев Роман Борисович Экситонный круговой дихроизм атомно-тонких коллоидных нанолистов CdSe
5 Минкин Вадим Сергеевич Особенности терморелаксации квазистатических вольт-амперных характеристик мультибарьерных AlxGa1-xAs гетероструктур при импульсном питании
6 Баглов Алексей Викторович Структурные свойства графитоподобного нитрида углерода, полученного методом пиролитического разложения тиомочевины
7 Гареев Газинур Зиятдинович Широкополосная терагерцовая генерация в водной среде: прикладные аспекты
8 Номоев Сергей Андреевич Разработка и изготовление фотопроводящей антенны с применением встречно-штыревой структуры
9 Плеханов Андрей Александрович/td> Исследование спектральных характеристик фотонных кристаллов на основе пористого кремния в терагерцовом диапазоне
10 Меринов Валерий Борисович Структура и устойчивость высокоэнергетических замкнутых азотных систем
11 Салем Махмуд Али Теоретическое исследование электронных и оптических свойств фуллеренов, допированных кремнием
12 Метель Юлия Вадимовна Аналитическая модель транспорта поляронов в неупорядоченных органических материалах
13 Гимальдинова Маргарита Александровна Энергетические и электронные характеристики кремниевых полипризманов
14 Амракулов Медет Мырзабекович Транспорт носителей заряда в неупорядоченных органических материалах с примесями