ПРОГРАММА
Юбилейной 10-ой Международной научно-практической конференции
«МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ»
15 мая 2019 года |
||
| 9:00 - 9:45 | РЕГИСТРАЦИЯ, КОФЕ – БРЕЙК | |
| ПЛЕНАРНАЯ СЕССИЯ, актовый зал (3 этаж главного корпуса). | ||
|---|---|---|
| 10:00-10:20 | Стриханов Михаил Николаевич | Открытие конференции. Торжественное вручение дипломов Стипендиатам Фонда имени члена-корреспондента РАН, профессора В.Г. Мокерова |
| 10:20-10:40 | Каргин Николай Иванович | Результаты исследований и планы развития Института нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике НИЯУ МИФИ |
| 10:40-11:05 | Лабунов Владимир Архипович | Современные тенденции развития микро- и наноэлектроники |
| 11:05-11:30 | Иванов Сергей Викторович | Полупроводниковая оптоэлектроника в ФТИ им. А.Ф. Иоффе в XX и XXI веке |
| 11:30-11:55 | Жуков Алексей Евгеньевич | Микролазеры с квантовыми точками на Si и GaAs подложках для оптической передачи данных |
| 11:55-12:20 | Красовицкий Дмитрий Михайлович | Физико-технологические аспекты построения foundry производства СВЧ ЭКБ: опыт АО "Светлана-Рост" |
| 12:20-12:45 | Великовский Леонид Эдуардович | Разработки и исследования СВЧ транзисторов на основе AlGaN/GaN и InAlN/GaN гетероструктур |
| 12:45-13:10 | Зайцев Кирилл Игоревич | Терагерцовые технологии в биофотонике |
| 13:10-14:00 | ОБЕД | |
| 14:00-15:00 | Постерная сессия.
Постеры доступны с 10-00 до 19-00 в научном читальном зале (2 этаж). Присутствие докладчиков с 14-00 до 15-00. |
|
АУДИТОРИЯ Г - 404 Фундаментальные аспекты наногетероструктурной СВЧ-электроники. Структурные свойства и нанометрология наносистем и гетероструктур. Председатели секции: С.С. Пушкарев, А.Н. Виниченко. |
| 15:00-15:15 | Гудина Светлана Викторовна | Активационная проводимость в режиме квантового эффекта Холла в квантовых ямах InGaAs/InAlAs с высоким содержанием InAs |
| 15:15-15:30 | Заболотных Андрей Александрович | Плазмоны в 2D электронной системе с затвором в виде полосы |
| 15:30-15:45 | Торхов Николай Анатольевич | Перенос квантово-механического состояния системы в эффектах туннелирования |
| 15:45-16:00 | Загороднев Игорь Витальевич | Возбуждение магнитоплазмонов в неограниченном двумерном электронном газе электромагнитным излучением |
| 16:00-16:15 | Казаков Антон Алексеевич | Квантовые поправки и магнитотранспорт в 3D дираковском полуметалле Cd3-xMnxAs2 |
| 16:15-16:30 | КОФЕ – БРЕЙК | |
| 16:30-16:45 | Протасов Дмитрий Юрьевич | Влияние конструкции и уровня легирования гетероструктур PHEMT на свойства ключевых транзисторов |
| 16:45-17:00 | Сафонов Данил Андреевич | Температурные зависимости подвижности электронов в PHEMT гетероструктурах с составным спейсерным слоем, содержащим нанослои AlAs |
| 17:00-17:15 | Пащенко Александр Сергеевич | Висмутсодержащие тонкие пленки изопериодные бинарным подложкам AIIIBV |
| 17:15-17:30 | Строгова Александра Сергеевна | Влияние легирования редкоземельными элементами и германием на структуру и свойства наноструктурированных пленок кремния |
| 17:30-17:45 | Середин Борис Михайлович | Особенности определения концентрации легирующей примеси в термомиграционных каналах кремния |
| 17:45-18:00 | Султанов Азрет Оюсович | Релаксация напряжений несоответствия в гетероструктурах 3C-SiC/Si |
| 18:00-18:15 | Доброхотов Петр Леонидович | Развитие методики калибровки состава и толщины слоев AlGaAs эпитаксиальных гетероструктур с помощью метода высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии |
АУДИТОРИЯ Г - 405 Полупроводниковые приборы и устройства: производство, технологии и свойства. Председатели секции: А.Ю. Павлов, И.С. Васильевский. |
| 15:00-15:15 | Енишерлова Кира Львовна | Деградация омических контактов AlGaN/GaN HEMT, связанная с морфологией поверхности |
| 15:15-15:30 | Захарченко Роман Викторович | Физико-технологические особенности формирования омических контактов для полупроводниковых приборов на основе GaN |
| 15:30-15:45 | Васильев Павел Сергеевич | Разработка технологии формирования сквозных отверстий в GaAs при помощи плазмохимического травления |
| 15:45-16:00 | Концевой Юлий Абрамович | Методы контроля качества диэлектрических пленок |
| 16:00-16:15 | Смирнов Юрий Юрьевич | Влияние пассивирующих свойств диэлектрических пленок на дрейф параметров арсенид-галлиевых МИС и транзисторов |
| 16:15-16:30 | КОФЕ – БРЕЙК | |
| 16:30-16:45 | Павлов Александр Юрьевич | Исследование полевых транзисторов на гетероструктурах AlGaN/AlN/GaN с подзатворным заглублением |
| 16:45-17:00 | Васильевский Иван Сергеевич | Разработка малошумящих РНЕМТ и МНЕМТ 0,15 мкм транзисторов НИЯУ МИФИ |
| 17:00-17:15 | Горелов Андрей Алексеевич | Проектирование двухкаскадного СВЧ усилителя мощности методом LOAD-PULL |
| 17:15-17:30 | Золотарев Алексей Алексеевич | Повышение надежности СВЧ GaN устройств при применении металломатричного композита AlSiC |
| 17:30-17:45 | Чернодубов Даниил Андреевич | Теплоперендоброхос в тонкопленочных структурах нитрида галлия |
| 17:45-18:00 | Плиговка Андрей Николаевич | Формирование металлооксидных наносеток анодированием двухслойной системы Al/Nb |
ПОСТЕРНАЯ СЕССИЯ |
| 15 мая с 10:00 до 18:00 часов. 2 этаж главного корпуса (научный читальный зал) (присутствие авторов с 14-00 до 15-00). | ||
|---|---|---|
| 1 | Торхов Николай Анатольевич | Размерные эффекты в электростатической системе плоских p+-n – кремниевых переходах |
| 2 | Иванова Яна Владимировна | Численный расчет параметров резонансно-туннельных структур |
| 3 | Богданов Евгений Владимирович | Влияние одноосного сжатия на двумерные электроны на гетерогранице n-GaAs/AlGaAs:Si |
| 4 | Васильченко Александр Анатольевич | Высокотемпературная электронно-дырочная жидкость в пленках алмаза |
| 5 | Пушкарев Сергей Сергеевич | Усиление «жёлтой» катодолюминесценции GaN-структуры под действием пучка низкоэнергетических электронов |
| 6 | Хорошко Людмила Сергеевна | Исследование структуры замещенных иттрий-алюминиевых перовскитов |
| 7 | Бакун Алексей Дмитриевич | Исследование особенностей обработки поверхности оптической стеклокерамики пучком кластерных ионов и ускоренных нейтральных атомов |
| 8 | Павлов Владимир Юрьевич | Влияние нагрева на контактное сопротивление несплавных омических контактов к нитридным гетероструктурам |
| 9 | Федоров Дмитрий Геннадьевич | Моделирование диодов Шоттки с ионно-легированными слоями на нитриде галлия |
| 10 | Желаннов Андрей Валерьевич | Омические контакты с ионно-легированными подконтактными слоями к приборным структурам на основе нитрида галлия |
| 11 | Слаповский Дмитрий Николаевич | Исследование характеристик HEMT AlGaN/GaN со сплавными омическими контактами на основе Si/Al |
| 12 | Волков Николай Викторович | Разработка элементов МЭМС наноразмерного диапазона для СВЧ устройств с использованием FIB технологии |
| 13 | Каратеев Игорь Андреевич | Структурные и магнитные свойства тонких пленок GdGe2 |
| 14 | Арустамян Давид Арсенович | Получение гетероструктур AlInGaPAs/InP для фотоприёмников ближнего ИК-диапазона |
| 15 | Гордеев Василий Петрович | Перспективы применения алмазных и AlN теплоотводящих элементов в мощных оптоэлектронных приборах на основе гетероструктур A3B5 |
| 16 | Гвоздовский Дмитрий Чеславович | Взаимодействие графена с поверхностью нитрида кремния: квантово-механическое моделирование |
| 17 | Аврамчук Александр Васильевич | Исследование влияния полимерного слоя на концентрацию носителей заряда в эпитаксиальном графене на карбиде кремния |
| 18 | Борисенко Денис Петрович | Влияние буферного слоя AlN на эпитаксиальный рост GaN на графене |
16 мая 2019 года |
||
|---|---|---|
| 9:00 - 9:45 | РЕГИСТРАЦИЯ, КОФЕ – БРЕЙК | |
| ПЛЕНАРНАЯ СЕССИЯ, конференц-зал (3 этаж главного корпуса). | ||
| 10:00-10:20 | Коледов Виктор Викторович | Трехмерное наноманипулирование с применением микроинструментов с эффектом памяти формы для технологии наногетероструктурной СВЧ электроники |
| 10:20-10:40 | Гареев Газинур Зиятдинович | Терагерцовые телекоммуникации и квантовая криптография |
| 10:40-11:00 | Пономарев Дмитрий Сергеевич | Генерация излучения терагерцовыми антеннами с высоко-аспектными плазмонными решетками |
| 11:00-11:20 | Петров Станислав Игоревич | Использование высокотемпературной аммиачной МЛЭ для улучшения свойств нитридных HEMT гетероструктур |
| 11:20-11:40 | Егоркин Владимир Ильич | Гетеробиполярные транзисторы на основе арсенида галлия и нормально-закрытые транзисторы на основе нитрида галлия, особенности изготовления и применения |
| 11:40-12:00 | Прищепа Сергей Леонидович | Магнитная релаксация в нанокомпозитах на основе УНТ |
| 12:00-12:20 | Аверьянов Дмитрий Валерьевич | Синтез и свойства сверхтонких слоев интеркалированного германена |
| 12:20-12:40 | Чубенко Евгений Борисович | Синтез и люминесцентные свойства графитоподобного нитрида углерода и гетероструктур на его основе |
| 12:40-13:00 | Виниченко Александр Николаевич | Эпитаксия и свойства метаморфных MHEMT гетероструктур с буферным слоем InAlAs и содержанием InAs в квантовой яме от 20 до 100% |
| 13:00-14:00 | ОБЕД | |
| 14:00-15:00 | Постерная сессия. Постеры доступны с 10-00 до 19-00 в научном читальном зале (2 этаж). Присутствие докладчиков с 14-00 до 15-00. | |
| 15:00-18:00 | Заседание секций – аудитории Г - 404, Г - 406 главного корпуса. | |
АУДИТОРИЯ Г - 404 Перспективные материалы. Полупроводниковые приборы и устройства: производство, технологии и свойства. Функциональная электроника и оптоэлектроника. Председатели секции: С.Л. Прищепа, И.В. Комиссаров. |
| 15:00-15:15 | Баранова Мария Сергеевна | Обменное магнитное взаимодействие в монослоях Cr2Ge2Te6 и Cr2Si2Te6 |
|---|---|---|
| 15:15-15:30 | Соколов Иван Сергеевич | Магнетизм интеркалированного графена и поверхностных фаз |
| 15:30-15:45 | Лебедев Александр Иванович | Синтез и свойства коллоидных нанопластинок TiO2, легированных 3d элементами |
| 15:45-16:00 | Комиссаров Иван Владимирович | Влияние глубокого измельчения пиролитического графита на кристаллическую структуру хлопьев и синтез из них оксида графена |
| 16:00-16:15 | Ковальчук Николай Георгиевич | Формирование микроструктур из двухслойного графена на подложке SiO2/Si фемтосекундным лазером |
| 16:15-16:30 | КОФЕ – БРЕЙК | |
| 16:30-16:45 | Баглов Алексей Викторович | Зонная структура графитоподобного нитрида углерода |
| 16:45-17:00 | Лозовенко Андрей Александрович | Особенности электрохимического формирования нанопроводов InSb в пористых матрицах с большим аспектным отношением |
| 17:00-17:15 | Зотов Артём Олегович | Исследование электрических свойств сверхтонких пленок ZnO, полученных различными методами нанесения |
| 17:15-17:30 | Шарков Андрей Иванович | Дифракционный режим распространения когерентных фононов гиперзвуковых частот в пластинах алмаза при комнатных температурах |
| 17:30-17:45 | Смирнова Марина Олеговна | Формирование NV-центра в алмазе: молекулярно-динамическое моделирование с помощью неортогональной модели сильной связи |
| 17:45-18:00 | Литун Яна Борисовна | Исследование характеристик графенового НЭМС-ключа на полуизолирующей подложке |
| 18:00-18:15 | Этрекова Майя Оразгельдыевна | Вольт-фарадные характеристики и механизм чувствительности газовых сенсоров на основе МДП-структур |
АУДИТОРИЯ Г – 406 Терагерцовая электроника и фотоника. Председатели секции: Д.С. Пономарев, Р.А. Хабибуллин. |
| 15:00-15:15 | Хабибуллин Рустам Анварович | Спектры излучения ТГЦ квантово-каскадных лазеров на основе резонансно-фононного дизайна |
|---|---|---|
| 15:15-15:30 | Клочков Алексей Николаевич | Импульсные ТГЦ-излучения от поверхности эпитаксиальных структур на основе низкотемпературного GaAs (111)A |
| 15:30-15:45 | Лаврухин Денис Владимирович | Управление спектром генерации терагерцовой фотопроводящей антенны с помощью частотно-зависимой модуляции импеданса |
| 15:45-16:00 | Карузский Александр Львович | Эффекты процессов внутреннего усиления в терагерцовых резонансно-туннельных наноструктурах на основе GaAs/AlAs |
| 16:00-16:15 | Гергель Виктор Александрович | Продвинутая модель расчета электрических характеристик мультибарьерных AlGaAs/GaAs структур сложной архитектуры |
| 16:15-16:30 | КОФЕ – БРЕЙК | |
| 16:30-16:45 | Шкуринов Александр Павлович | Нелинейное вращение плоскости поляризации элиптически поляризационного терагерцового излучения в жидком азоте |
| 16:45-17:00 | Воропаев Кирилл Олегович | Формирование апертуры вертикально-излучающего лазера с длиной волны генерации 1550 нм |
| 17:00-17:15 | Васильевский Иван Сергеевич | Разработка структур с МКЯ InAlGaAs на подложке InP для приложений интегральной радиофотоники, выращенных комбинированным способом MBE/MOCVD |
| 17:15-17:30 | Сибирмовский Юрий Дмитриевич | Моделирование оптических свойств квантовых ям и сверхрешеток для электрооптических модуляторов |
| 17:30-17:45 | Бутаев Марат Раджабали | Исследование полупроводникового дискового лазера на структуре InGaAs/GaAs при накачке электронным пучком |
| 17:45-18:00 | Лазарук Сергей Константинович | Кремниевые лавинные светодиоды и оптические межсоединения на их основе |
| 18:00-18:15 | Лазарук Сергей Константинович | Планарный алюмооксидный волновод для кремниевых оптических межсоединений |
| 18:15-18:30 | Асланян Артем Эдуардович | Фотореверсивный ток в светодиодных гетероструктурах на основе InGaN/GaN зелёного свечения c разным количеством квантовых ям в активной области |
ПОСТЕРНАЯ СЕССИЯ |
| 16 мая с 10:00 до 18:00 часов. 2 этаж главного корпуса (научный читальный зал) (присутствие авторов с 14-00 до 15-00). | ||
|---|---|---|
| 1 | Прищепа Сергей Леонидович | Каналирование триплетных пар в гетероструктурах сверхпроводник-ферромагнетик |
| 2 | Жуков Кирилл Владимирович | Система акустического контроля прохождения поршня для автоматического контроля движения внутритрубного инспекционного снаряда |
| 3 | Глинский Игорь Андреевич | Разработка технологии создания фотопроводящих антенн с пассивирующим диэлектриком |
| 4 | Васильев Роман Борисович | Экситонный круговой дихроизм атомно-тонких коллоидных нанолистов CdSe |
| 5 | Минкин Вадим Сергеевич | Особенности терморелаксации квазистатических вольт-амперных характеристик мультибарьерных AlxGa1-xAs гетероструктур при импульсном питании |
| 6 | Баглов Алексей Викторович | Структурные свойства графитоподобного нитрида углерода, полученного методом пиролитического разложения тиомочевины |
| 7 | Гареев Газинур Зиятдинович | Широкополосная терагерцовая генерация в водной среде: прикладные аспекты |
| 8 | Номоев Сергей Андреевич | Разработка и изготовление фотопроводящей антенны с применением встречно-штыревой структуры |
| 9 | Плеханов Андрей Александрович/td> | Исследование спектральных характеристик фотонных кристаллов на основе пористого кремния в терагерцовом диапазоне |
| 10 | Меринов Валерий Борисович | Структура и устойчивость высокоэнергетических замкнутых азотных систем |
| 11 | Салем Махмуд Али | Теоретическое исследование электронных и оптических свойств фуллеренов, допированных кремнием |
| 12 | Метель Юлия Вадимовна | Аналитическая модель транспорта поляронов в неупорядоченных органических материалах |
| 13 | Гимальдинова Маргарита Александровна | Энергетические и электронные характеристики кремниевых полипризманов |
| 14 | Амракулов Медет Мырзабекович | Транспорт носителей заряда в неупорядоченных органических материалах с примесями |